RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2711
2919
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link