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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
比较
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 12% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
15.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
33
读取速度,GB/s
15.8
16.4
写入速度,GB/s
11.8
11.3
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2711
2919
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB RAM的比较
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
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