RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
31
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2711
3282
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link