RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2535
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G6K1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link