RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
41
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2711
2847
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link