RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2711
1925
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9965525-054.A00LF 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link