RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB

总分
star star star star star
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

总分
star star star star star
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB

差异 规格 评论

差异

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB 需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.8 left arrow 12
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.8 left arrow 5.5
    测试中的平均数值
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB 需要考虑的原因
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 29
    左右 -12% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 17000
    左右 1.13 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    29 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    15.8 left arrow 12.0
  • 写入速度，GB/s
    11.8 left arrow 5.5
  • 内存带宽，mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2711 left arrow 1925

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB RAM的比较

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-054.A00LF 4GB
Kingston 9965525-054.A00LF 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
内存RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
内存RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
内存RAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
内存RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
内存RAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
内存RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
内存RAM