RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2711
2388
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link