RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Porównaj
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
41
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1335
3127
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link