RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
41
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1335
2672
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link