RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
41
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1335
2672
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link