RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Porównaj
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1959
2478
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link