RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Porównaj
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1959
3706
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link