Porównanie pamięci RAM PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Wynik ogólny

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

57 63

Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

19.1 6.1

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

10.1 5.0

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 10600

Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1274 2377

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns