Comparación de la memoria RAM PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Puntuación global

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

57 63

En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

19.1 6.1

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

10.1 5.0

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 10600

En 1.81 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1274 2377

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns