PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB против Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    57 left arrow 63
    Около -11% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    19.1 left arrow 6.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.1 left arrow 5.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    63 left arrow 57
  • Скорость чтения, Гб/сек
    6.1 left arrow 19.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.0 left arrow 10.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1274 left arrow 2377
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения