RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Mushkin 991988 (996988) 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
35
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2388
2068
Mushkin 991988 (996988) 4GB Porównanie pamięci RAM
Mushkin 991988S (996988S) 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link