RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1676
2283
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link