RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
3027
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD24G8002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link