RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
26
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
3542
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link