RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
26
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
3512
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Jinyu 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link