RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
3546
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link