RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
3546
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link