RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
80
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
80
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
1775
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link