RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
80
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
80
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
1775
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 9905403-181.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 9905295-037.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link