RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
80
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
80
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
1775
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link