RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
3557
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link