RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
3285
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link