RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2271
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link