RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
56
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
56
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
1964
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link