RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2361
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link