RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2657
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link