RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
65
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
65
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2041
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link