RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
73
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
73
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
1638
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link