RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
54
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2888
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link