RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
37
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3306
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link