RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
37
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.6
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
3306
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link