RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2641
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link