RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
44
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2066
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link