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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
44
Autour de -76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
2066
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
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