RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
68
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
68
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
1904
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link