RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3726
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link