RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3726
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link