RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
37
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2849
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link