Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.7 left arrow 12.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    12800 left arrow 10600
    Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    26 left arrow 42
    Wokół strony -62% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.3 left arrow 8.1
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    42 left arrow 26
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.7 left arrow 12.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.1 left arrow 8.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2173 left arrow 2186
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania