Porównanie pamięci RAM Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Wynik ogólny

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

13.7 12.8

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

12800 10600

Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

26 42

Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.3 8.1

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2173 2186

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns