Comparação RAM Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Pontuação geral

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

13.7 12.8

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

12800 10600

Por volta de 1.21% maior largura de banda

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

26 42

Por volta de -62% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.3 8.1

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2173 2186

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns