Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

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Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.7 left arrow 12.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    12800 left arrow 10600
    Autour de 1.21% bande passante supérieure
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    26 left arrow 42
    Autour de -62% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.3 left arrow 8.1
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    42 left arrow 26
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.7 left arrow 12.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.1 left arrow 8.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2173 left arrow 2186
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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