RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Comparez
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Note globale
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
42
Autour de -62% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
42
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
12.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
10600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2173
2186
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link