RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Сравнить
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
8.1
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
42
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
12.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
10600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2173
2186
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link