RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Сравнить
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
8.1
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
42
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
12.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
10600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2173
2186
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link