RAM-Vergleich Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Gesamtnote

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

13.7 12.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

12800 10600

Rund um 1.21% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

26 42

Rund um -62% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.3 8.1

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2173 2186

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns