Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Gesamtnote
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Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Unterschiede

Kingston HX318C10FK/4 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    26 left arrow 69
    Rund um -165% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.7 left arrow 6.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.0 left arrow 4.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 14900
    Rund um 1.43 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    69 left arrow 26
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6.1 left arrow 17.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    4.1 left arrow 14.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1116 left arrow 3017
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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