Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 69
    Por volta de -165% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    17.7 left arrow 6.1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    14.0 left arrow 4.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 14900
    Por volta de 1.43 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    69 left arrow 26
  • Velocidade de leitura, GB/s
    6.1 left arrow 17.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    4.1 left arrow 14.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1116 left arrow 3017
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações