RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Comparez
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Note globale
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
69
Autour de -165% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
4.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
14900
Autour de 1.43 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
26
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
4.1
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
21300
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1116
3017
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link