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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
69
En -165% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
4.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
14900
En 1.43 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
26
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
4.1
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
21300
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1116
3017
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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