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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
总分
Kingston HX318C10FK/4 4GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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规格
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
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需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
69
左右 -165% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
4.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
26
读取速度,GB/s
6.1
17.7
写入速度,GB/s
4.1
14.0
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1116
3017
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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